| Diameter |
2" |
3" |
4" |
5" |
6" |
8" |
12" |
| Grade |
Prime |
| Growth Method |
CZ |
| Orientation |
< 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 > |
| Type/Dopant |
P Type/Boron , N Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb |
| Thickness (μm) |
279 |
380 |
525 |
625 |
675 |
725 |
775 |
| Thickness Tolerance |
Standard ± 25μm, Maximum Capabilities ± 5μm |
± 20μm |
± 20μm |
| Resistivity |
0.001 - 100 ohm-cm |
| Surface Finished |
P/E , P/P, E/E, G/G |
| TTV (μm) |
Standard < 10 um, Maximum Capabilities <5 um |
| Bow/Warp (?m) |
Standard <40 um, Maximum Capabilities <20 um |
<40μm |
<40μm |
| Particle |
<10@0.5um; <10@0.3um; <10@0.2um; |
硅片的生產(chǎn)通常有以下幾個(gè)步驟：
1）長(zhǎng)晶，有直拉法（CZ）和區(qū)熔法（FZ）之分，由于熔融多晶材料會(huì)直接跟石英坩堝接觸，這樣石英坩堝的雜質(zhì)會(huì)污染熔融多晶，直拉法拉直單晶碳氧含量比較高，雜質(zhì)缺陷比較多，但是成本低，適合拉制大直徑（300mm）的硅片，是目前主要的半導(dǎo)體硅片材料。區(qū)熔法拉制的單晶，由于多晶原材料沒(méi)有跟石英坩堝接觸，因此內(nèi)部缺陷少、碳氧含量低，但是價(jià)格貴，成本高，適合用于大功率器件和某些高端產(chǎn)品。
2）切片，拉制好的單晶硅棒需要切除頭尾料，然后滾磨成所需的直徑大小，切平邊或者V槽后，再切成薄硅片。目前通常用金剛線線切割技術(shù)，效率高，硅片翹曲度和彎曲度比較好。少部分特殊異形片，會(huì)用內(nèi)圓切。
3）研磨：切片后需要通過(guò)研磨來(lái)去除切割面的損傷層，以保證硅片表面的質(zhì)量，大概去除50um。
4）腐蝕：腐蝕是為了進(jìn)一步去除切割和研磨造成的損傷層，以便為一下步的拋光工藝做好準(zhǔn)備。腐蝕通常有堿腐蝕和酸腐蝕，目前由于環(huán)保因素，大多數(shù)都采用堿腐蝕。腐蝕的去除量會(huì)達(dá)到30-40um，表面粗糙度也可以達(dá)到微米級(jí)。
5）拋光：拋光是硅片生產(chǎn)的一道重要工藝，拋光是通過(guò)CMP（Chemical Mechanical Polished ）技術(shù)進(jìn)一步提高硅片的表面質(zhì)量，使其達(dá)到生產(chǎn)芯片的要求，拋光后表面粗糙度通常Ra<5A。
6）清洗包裝：由于集成電路線寬越來(lái)越小，因此對(duì)提高的顆粒度指標(biāo)要求也越來(lái)越高，清洗包裝也是硅片生產(chǎn)的一道重要工藝，通過(guò)兆聲清洗能夠洗凈附著在硅片表面>0.3um以上的大部分顆粒，再通過(guò)免清洗的卡塞盒真空密封包裝或者沖惰性氣體包裝，從而使硅片表面的潔凈度達(dá)到集成電路的要求。
單晶硅是一種優(yōu)良的高純半導(dǎo)體材料，IC級(jí)別的純度要求達(dá)到9N以上（99.9999999%），區(qū)熔單晶硅片甚至達(dá)到11N（99.999999999%）以上。通常通過(guò)直拉法（CZ）和區(qū)熔法（FZ）長(zhǎng)晶得到，其晶向通過(guò)籽晶來(lái)決定。單晶硅是目前最重要的半導(dǎo)體材料，占據(jù)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的90%以上，是信息技術(shù)和集成電路的基礎(chǔ)材料。
