| 化學(xué)式 | Ge |
| 分子量 | 72.61 |
| 純度 | 6N |
| 外觀 | 錠狀多晶、單晶 |
| 用途 | 鍺被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、紅外光學(xué)器件、光纖、醫(yī)學(xué)、冶金、能源、太陽能電池等方面。 |
| Type/Dopant 導(dǎo)電類型/摻雜元素 | N-Type/Si | P-Type/Zn |
| Dopant/摻雜元素 | As, Sb | Ga |
| Growth Method 長晶方式 | CZ | |
| Diameter 直徑 | 2", 3", 4", 6" | |
| Orientation 晶向 | (100)±0.5° | |
| Thickness 厚度 (µm) | 175-500um±25um | |
| OF/IF 參考邊 | US EJ | |
| Resistivity 電阻率 (ohm-cm) | 0.005-30 | 0.005-0.4 |
| Etch Pitch Density 位錯密度(/cm2) | <300 | <300 |
| TTV 平整度 [P/P] (µm) | <15 | |
| TTV 平整度 [P/E] (µm) | <25 | |
| Warp 翹曲度 (µm) | <25 | |
| Surface Finished 表面加工 | P/P, P/E, E/E | |
