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化合物半導體
砷化鎵(GaAs)
砷化鎵襯底晶片GaAs Substrate Wafers砷化鎵(GaAs)是一種半導體材料,具有高頻率、高電子遷移事、高錦出功事、低唾音以及線性度良奸等優(yōu)越特性,廣泛應用于光電子和微電子工業(yè),在光電子工業(yè)領城皮用質(zhì)面,神化家單品可被用于制作 LED(發(fā)光二樓管)、LD(教光園),光伏器件等;在微電子工業(yè)領城皮用層面,可被用于制作 MESFET(金屬半導體場效皮管)、HEMT(高電子遷移率晶體管),HBT(異質(zhì)結雙極晶體管),IC,微波二極管,Hall 器件等,
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商品詳情
GaAs Wafers Specification
Type/Dopant 導電類型/摻雜元素 Semi-Insulated P-Type/Zn N-Type/Si N-Type/Si
Application 應用 Micro Eletronic LED Laser Diode
Growth Method 長晶方式 VGF
Diameter 直徑 2", 3", 4", 6"
Orientation 晶向 (100)±0.5°
Thickness 厚度 (µm)  350-625um±25um
OF/IF 參考邊 US EJ or Notch
Carrier Concentration 載流子濃度 - (0.5-5)*1019 (0.4-4)*1018 (0.4-0.25)*1018
Resistivity 電阻率 (ohm-cm) >107 (1.2-9.9)*10-3 (1.2-9.9)*10-3 (1.2-9.9)*10-3
 Mobility 電子遷移率 (cm2/V.S.) >4000 50-120 >1000 >1500
Etch Pitch Density 位錯密度(/cm2) <5000 <5000 <5000 <500
TTV 平整度 [P/P] (µm) <5
TTV 平整度 [P/E] (µm) <10
Warp 翹曲度 (µm) <10
Surface Finished 表面加工 P/P, P/E, E/E
Note: Other Specifications maybe available upon request
 
砷化鎵(GaAs)
                        ?  砷化鎵是化合物半導體中最重要、用途最廣泛的半導體材 料，也是目前研究得最成熟、生產(chǎn)量最大的化合物半導體 材料。 ?
                        ?  優(yōu)點: ?
                        ?  砷化鎵具有電子遷移率高(是硅的5-6倍)、 ?
                        ?  禁帶寬度大(它為1.43eV， 硅為1.1eV)，工作溫度可以 比硅高 ?
                        ?  為直接帶隙，光電特性好，可作發(fā)光與激光器件 ?
                        ?  容易制成半絕緣材料(電阻率107-109Ωcm)， ?
                        ?  本征載流子濃度低 ?
                        ?  耐熱、抗輻射性能好 ?
                        ?  對磁場敏感 ?
                        ?  易拉制出單晶 ?
 
砷化鎵是由金屬鎵與半金屬砷按原子比1:1化合而成的化合物。 它具有灰色的金屬光澤，其晶體結構為閃鋅礦型。 砷化鎵早在1926年就已經(jīng)被合成出來了。到了1952年確認了 它的半導體性質(zhì)。 用砷化鎵材料制作的器件頻率響應好、速度快、工作溫度高， 能滿足集成光電子的需要。它是目前最重要的光電子材料，也 是繼硅材料之后最重要的微電子材料，它適合于制造高頻、高 速的器件和電路。 砷化鎵在我們?nèi)粘Ｉ钪械囊恍? 現(xiàn)在我們看電視、聽音響、開空調(diào)都用遙控器。這些遙控器 是通過砷化鎵發(fā)出的紅外光把指令傳給主機的。

在許多家電上都有小的紅色、綠色的指示燈，它們是以砷化鎵等材料為襯底做成的發(fā)光二極管。光盤和VCD， DVD都是用以砷化鎵為襯底制成的激光二極管 進行讀出的。到了50年代中期當半導體硅的工藝獲得突破以后.人們開始尋找更優(yōu)良的半導體材料。由于其優(yōu)異的半導體性質(zhì)，所以目光就集中在砷化鎵上。

砷化鎵單晶在應用上曾遭受到不少挫折。首先用它來 作晶體管和二極管，結果其性能還趕不上硅和鍺。到了60年代初，出現(xiàn)了耿氏微波二極管，人們曾寄希望于將此器 件取代真空速調(diào)管，使雷達實現(xiàn)固體化。后終因輸出功率 太小而未能實現(xiàn)。在改善計算機性能中，用砷化鎵制成了 超高速電路，可以提高計算機的計算速度，這個應用十分誘人，但是后來開發(fā)出計算機平行計算技術，又給砷化鎵 的應用澆了一飄冷水。 所以一直到90年代初期，砷化鎵的應用基本限于光電 子器件和軍事用途。
 
由于認識到其優(yōu)異性能及其戰(zhàn)略意義人們不斷地對砷化鎵材料器件 及應用進行研究與開拓，這些工作為今天的大發(fā)展打下了基礎。 砷化鎵器件有分立器件和集成電路?，F(xiàn)在集成電路已不是硅的一統(tǒng) 天下，砷化鎵集成電路己占集成電路市場份額重要一塊。

已獲應用的砷化鎵器件有:
微波二極管，耿氏二極管、變?nèi)荻O管等; ?
微波晶體管:場效應晶體管(FET).高電子遷移率晶體管(HEMT) ，異 質(zhì)結雙極型晶體管(HBT)等; ?
集成電路:微波單片集成電路(MMIC )、超高速集成電路(VHSIC)等; ?
霍爾元件等 ?
紅外發(fā)光二極管:(IR LED); 可見光發(fā)光二極管(LED，作襯底用); ?
激光二極管(LD); ?
光探測器; ?
高效太陽電池; ?
 
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