| 直徑 |
4" |
5" |
6" |
8" |
| 外延層 |
摻雜 |
Boron, Phos, Arsenic |
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晶向 |
<100>, <111> |
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導(dǎo)電類(lèi)型 |
P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+ |
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電阻率 |
0.001-50 Ohm-cm |
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電阻率均勻性 |
Standard <6%, Maximum Capabilities <2% |
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外延層厚度 (um) |
0.1-100 |
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厚度均勻性 |
Standard <3%, Maximum Capabilities <1% |
| 襯底 |
晶向 |
<100>, <111> |
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導(dǎo)電類(lèi)型/摻雜元素 |
P Type/Boron , N Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb |
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厚度 (um) |
300-725 |
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電阻率 |
0.001-100 Ohm-cm |
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表面狀態(tài) |
P/P, P/E |
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顆粒度 |
<30@.0.5um |
廣東硅峰為一些最重要的微電子應(yīng)用提供了多種生產(chǎn)證明和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的硅外延工藝技術(shù)：
二極管
•肖特基二極管
•超快二極管
•齊納二極管
•PIN二極管
•瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）
•和其他
晶體管
•功率IGBT
•動(dòng)力DMO
•MOSFET
•中等功率
•小信號(hào)
•和其他
集成電路
雙極集成電路
•EEPROM
•放大器
•微處理器
•微控制器
•射頻識(shí)別
•和其他
對(duì)于集成電路制造商硅峰提供在襯底上具有埋入離子注入或擴(kuò)散層的硅外延沉積服務(wù)。
根據(jù)生長(zhǎng)方法可以將外延工藝分為兩大類(lèi)(表1)：全外延(Blanket Epi)和選擇性外延(Selective Epi, 簡(jiǎn)稱SEG)。工藝氣體中常用三種含硅氣體源：硅烷(SiH4)，二氯硅烷(SiH2Cl2, 簡(jiǎn)稱DCS) 和三氯硅烷(SiHCl3, 簡(jiǎn)稱TCS)；某些特殊外延工藝中還要用到含Ge和C的氣體鍺烷(GeH4)和甲基硅烷(SiH3CH3)；選擇性外延工藝中還需要用到刻蝕性氣體氯化氫(HCl)，反應(yīng)中的載氣一般選用氫氣(H2)。" ~1 X. i9 V% A7 I
外延選擇性的實(shí)現(xiàn)一般通過(guò)調(diào)節(jié)外延沉積和原位(in-situ)刻蝕的相對(duì)速率大小來(lái)實(shí)現(xiàn)，所用氣體一般為含氯(Cl)的硅源氣體DCS，利用反應(yīng)中Cl原子在硅表面的吸附小于氧化物或者氮化物來(lái)實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)的選擇性；由于SiH4不含Cl原子而且活化能低，一般僅應(yīng)用于低溫全外延工藝；而另外一種常用硅源TCS蒸氣壓低，在常溫下呈液態(tài)，需要通過(guò)H2鼓泡來(lái)導(dǎo)入反應(yīng)腔，但價(jià)格相對(duì)便宜，常利用其快速的生長(zhǎng)率（可達(dá)到5 um/min）來(lái)生長(zhǎng)比較厚的硅外延層，這在硅外延片生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用。IV族元素中Ge的晶格常數(shù)(5.646A與Si的晶格常數(shù)(5.431A差別最小，這使得SiGe與Si工藝易集成。在單晶Si中引入Ge形成的SiGe單晶層可以降低帶隙寬度，增大晶體管的特征截止頻率fT(cut-off frequency)，這使得它在無(wú)線及光通信高頻器件方面應(yīng)用十分廣泛；另外在先進(jìn)的CMOS集成電路工藝中還會(huì)利用Ge跟Si的晶格常數(shù)失配(4%)引入的晶格應(yīng)力來(lái)提高電子或者空穴的遷移率(mobility)，從而增大器件的工作飽和電流以及響應(yīng)速度，這正成為各國(guó)半導(dǎo)體集成電路工藝研究中的熱點(diǎn)。
由于本征硅的導(dǎo)電性能很差，其電阻率一般在200ohm-cm以上，通常在外延生長(zhǎng)的同時(shí)還需要摻入雜質(zhì)氣體(dopant)來(lái)滿足一定的器件電學(xué)性能。雜質(zhì)氣體可以分為N型和P型兩類(lèi)：常用N型雜質(zhì)氣體包括磷烷(PH3)和砷烷(AsH3)，而P型則主要是硼烷(B2H6)。
