微納代工/Foundry Services
我司為那些只需要在自己的晶圓上執(zhí)行高質(zhì)量的單單元工藝的客戶提供廣泛的附加加工服務(wù)。
我司為我們的鍵合BSOI和CSOI晶圓提供高分辨率SAM（掃描聲學(xué)顯微鏡成像），這也可以作為客戶自己的鍵合晶圓的服務(wù)提供。SAM檢測(cè)提供了一種對(duì)粘接界面進(jìn)行無(wú)損成像的方法。與傳統(tǒng)的超聲波檢測(cè)方法、紅外顯微鏡和X射線顯微鏡等常見(jiàn)的無(wú)損檢測(cè)方法相比，掃描聲學(xué)顯微鏡對(duì)像素、線對(duì)線掃描試樣表面，并用試樣換能器檢測(cè)從試樣中反射出的超聲波。我司 SAM檢測(cè)的檢測(cè)限在10um的橫向分層尺寸范圍內(nèi)，分層高度在15nm范圍內(nèi)。我司可以在直徑為100mm - 200mm的晶圓上提供高分辨率的整片晶圓掃描，像素尺寸小至20微米。晶圓的各個(gè)區(qū)域可以以更高的分辨率進(jìn)行掃描。
我司將利用工程專業(yè)知識(shí)來(lái)開(kāi)發(fā)工藝流程和CAD（計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)）布局，用于開(kāi)發(fā)一套新的掩?；驒M截面概念圖。
我司的工藝的流程在IATF 16949制造環(huán)境中運(yùn)行，受到嚴(yán)格的統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制（SPC）控制，并在先進(jìn)CMOS要求的污染標(biāo)準(zhǔn)公差范圍內(nèi)，為您提供完美的解決方案。所有這一切都得到了快速周轉(zhuǎn)服務(wù)和準(zhǔn)時(shí)交貨的高度合規(guī)性的支持。
主要特點(diǎn)：
• 高品質(zhì)
• 低成本
• 缺陷密度低
• 多層
• 可提供針對(duì)客戶要求的工藝流程
DRIE 蝕刻服務(wù)
深溝槽刻蝕是lceMOS的核心技術(shù)。憑借在該領(lǐng)域 20 多年的經(jīng)驗(yàn)，我司可以提供最小特征尺寸為 2um 的 DRIE 硅蝕刻選項(xiàng)。在厚度達(dá) 300um 的 SOl 上，縱橫比為 20.1 的溝槽。SOI上的laree面積模式，以及通過(guò)對(duì)塊狀硅和SOl進(jìn)行晶圓蝕刻，曝光面積高達(dá)65%和高達(dá)500um的硅晶圓，縱橫比高達(dá)12：1。如果需要，我們的填充技術(shù)不僅可以確保溝槽完全填充，還可以為后續(xù)加工留下完全平坦的硅表面。下面顯示了我們可以做的一小部分示例。聯(lián)系我們的工程團(tuán)隊(duì)，討論蝕刻深度、側(cè)壁角度、縱橫比、裸露蝕刻區(qū)域以及是否需要重新填充。
薄膜沉積和擴(kuò)散
出色的工藝控制和一套高溫?zé)嵫趸蚅PCVD TEOS氧化物和LPCVD多晶硅使IceMOS為那些希望重新填充蝕刻特征或沉積熱或犧牲氧化物和大量n++摻雜或未摻雜的LPCVD多晶硅層的人提供了出色的設(shè)施。
| Process |
Diameter |
Min Thickness |
Max Thickness |
Tolerance (+/-) |
Notes |
| Dry Oxidation |
100mm, 125mm,
150mm & 200mm |
24nm |
200nm |
15% |
|
| Wet Oxidation |
100mm, 125mm,
150mm & 200mm |
100nm |
6000nm |
5% |
|
Undoped LPCVD
Polysilicon |
100mm, 125mm,
150mm |
200nm |
4500nm |
10% |
Per deposition |
Heavily doped
LPCVD
Polysilicon (n++) |
100mm, 125mm,
150mm |
200nm |
4500nm |
10% |
Per deposition |
| LPCVD TEOS |
100mm, 125mm,
150mm |
200nm |
6000nm |
5% |
Densification at
1050C optional |
