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技術(shù)支持
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單晶硅棒
硅棒
什么是硅棒？什么是單晶硅棒？
多晶硅通過(guò)直拉法CZ或者區(qū)熔法FZ長(zhǎng)晶得到的棒狀單晶硅材料。一般的硅棒均指單晶硅棒，如果是多晶結(jié)構(gòu)的“硅棒”，我們一般稱(chēng)之為多晶硅碇。單晶硅棒按直接大小可以分成2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸和18英寸，目前市場(chǎng)主流是8英寸和12英寸。單晶硅棒是生產(chǎn)硅片的原材料，其質(zhì)量好壞，缺陷多少直接影響到硅片的質(zhì)量。硅片碳含量和氧含量的高低、電阻率均勻性的好壞，以及內(nèi)部缺陷的多少都是有硅棒長(zhǎng)晶的時(shí)候決定的。
因此長(zhǎng)晶技術(shù)是半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵核心技術(shù)之一， 12英寸以上的長(zhǎng)晶技術(shù)，只有少數(shù)大公司掌握，中國(guó)還是追趕階段。
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商品詳情
 
Diameter 2"  3"  4"  5"  6"  8" 
Grade  Prime 
Growth Method CZ FZ
Orientation  < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 >
Type/Dopant P Type/Boron , N Type/Phos,  N Type/As, N Type/Sb
Oxygen Content 8-18 ppma 　
Carbon Content 　 　
Resistivity  0.001 - 100 ohm-cm
Life Time >50us 　







 
本征及超高阻區(qū)熔硅單晶（FZ-Silicon）
通過(guò)區(qū)熔工藝?yán)频牡碗s質(zhì)含量、低缺陷密度，晶格結(jié)構(gòu)完美的硅單晶，晶體生長(zhǎng)過(guò)程中不引入任何雜質(zhì)，其電阻率通常在1000Ω•cm 以上，主要用于制作高反壓器件和光電子器件。
中子輻照區(qū)熔硅單晶（NTDFZ-Silicon）
本征區(qū)熔硅單晶通過(guò)中子輻照可獲得高電阻率均勻性的硅單晶，保證了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器（SR）、可控硅（SCR）、巨型晶體管（GTR）、晶閘管（GRO）、靜電感應(yīng)晶閘管（SITH）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、超高壓二極管（PIN）、 智能功率器件（SMART POWER）、功率集成器件（POWER IC）等，是各類(lèi)變頻器、整流器、大功率控制器件、新型電力電子器件的主體功能材料，也是多種探測(cè)器、傳感器、光電子器件和特殊功率器件等的主體功能材料。
氣相摻雜區(qū)熔硅單晶（GDFZ-Silicon）
利用雜質(zhì)的擴(kuò)散機(jī)理，在用區(qū)熔工藝?yán)乒鑶尉У倪^(guò)程中加入氣相雜質(zhì)，從根本上解決了區(qū)熔工藝摻雜困難的問(wèn)題，可得到任意導(dǎo)電型號(hào)、寬電阻率范圍、電阻率均勻性與中子輻照相當(dāng)?shù)拇笾睆降统杀緟^(qū)熔氣摻硅單晶，其電阻率在0.01-200Ω.cm，少子壽命達(dá)500-2000?s，徑向電阻率不均勻性≤10%，。適用于制作各類(lèi)半導(dǎo)體功率器件、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、高效太陽(yáng)能電池等。
直拉區(qū)熔硅單晶（CFZ-Silicon）
采用直拉與區(qū)熔兩種工藝相結(jié)合的方式拉制硅單晶，產(chǎn)品質(zhì)量介于直拉單晶和區(qū)熔單晶之間?？蓳饺胩厥庠乩珂墸℅a）、鍺（Ge）等。采用直拉區(qū)熔法制備的新一代CFZ太陽(yáng)能硅片，其各項(xiàng)性能指標(biāo)均遠(yuǎn)優(yōu)于當(dāng)前全球光伏產(chǎn)業(yè)使用的各類(lèi)硅片，太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率高達(dá)24-26%。產(chǎn)品主要應(yīng)用于特殊結(jié)構(gòu)、背接觸、HIT等特殊工藝制作的高效太陽(yáng)能電池上，并更為廣泛的用于LED、功率器件、汽車(chē)、衛(wèi)星等眾多產(chǎn)品和領(lǐng)域中。
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Sub 2: PlutoSilica Co., Ltd   -Silicon Wafer and Glass Wafer Manufactory-
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